Samsung inicia la fabricación masiva de la DDR2 de 60 nm.
Tras el logro de los 4 GHz en la GDDR4, Samsung presenta otro avance en memorias. Esta vez se trata de las primeras memorias DDR2 de 1 gigabit en 60 nm producidas en serie.
El nuevo proceso de fabricación supone una mejora de la eficiencia de las fábricas de 40% con respecto al anterior proceso de 80 nm de primeros de 2006. Todavía hoy, el proceso de 90 nm es el típico en chips de gama media/baja y su productividad es dos veces menor que la del nuevo proceso de 60 nm.
Samsung ha hecho estimaciones de que la adopción de este proceso nuevo, causará un incremento en la oferta de chips DRAM de alta densidad, más aún cuando se conjuga con los requerimiento de memoria de Vista. En cuanto a estos nuevos módulos, los hay de 512 MB, 1 GB y 2 GB en DDR2-667/800.
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Otras mejoras empleadas en estos chips son los transistores 3D, que permiten fabricar chips más pequeños y altamente dependiente de la técnica RCAT para diseñar células de memoria 3D, lo que aumenta la densidad y reduce su tamaño. Estas técnicas serán necesarias también para los procesos de fabricación de 50 nm o menores. Otro desarrollo que ha aplicado Samsung es usar un metal aislante especial para mejorar la estabilidad capacitativa.
Un último avance es el SEG, que mejora el paso del flujo eléctrico por los chips de memoria y reduce el consumo, a la vez que mejora el rendimiento.
Ahora mismo, se predice que los chips DRAM con proceso de 60 nm desplacen a los de 90 nm en 2008. Samsung tiene previsto ingresar por esos chips nuevos 2.300 millones de dólares, cifra que subirá a 32.000 millones en 2009.
Fuente:http://www.noticias3d.com/
